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IRLL110PBF中文资料

IRLL110PBF图片

IRLL110PBF外观图

  • 大小:203.61KB
  • 厂家:IRF [International Rectifier]
  • 描述:HEXFET㈢ Power MOSFET
  • 数据列表:IRLL110PBF
  • 标准包装:4,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:540 毫欧 @ 900mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:6.1nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:250pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装:SOT-223
  • 包装:管件

IRLL110PBF供应商

更新时间:2023-01-27 15:25:05
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